将摩尔定律推向新高度

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原标题：将摩尔定律推向新高度
关键字：晶体管,栅极,器件,纳米,定律
文章来源：人工智能学家
内容字数：8466字

内容摘要：

过去50年里，影响最深远的技术成就也许就是晶体管小型化的稳步推进，它们的集成密度越来越高、功耗越来越低。自从20多年前在英特尔开始职业生涯以来，我们就一直听到这样的警告：这种无穷小的演变即将结束。然而年复一年，优秀的新型创新成果还在继续推动半导体行业进一步发展。
在这个过程中，我们工程师需要改变晶体管的架构，在提高性能的同时持续缩小其面积并降低功耗。带领我们走过20世纪下半叶的“平面”晶体管设计，在21世纪10年代前半期被3D鳍状器件取代。如今，随着一种新的全环绕栅极（GAA）结构即将投入生产，这些3D鳍状器件也即将被取代。但是我们必须看得更远，因为我们缩小这种新型晶体管结构（我们称之为“RibbonFET”）的能力也有限。
那么，未来的小型化工作要如何开展？我们将继续关注第三维度。我们开发了可以互相堆叠的实验装置，能够实现比原来小30%至50%的逻辑。至关重要的是，顶部和底部器件分属N沟道金属氧化物半导体（NMOS）和P沟道金属氧化物半导体（PMOS）两种互补类型，它们是过去几十年里所有逻辑电路的基础。我们相信这种3D堆叠的互补金属氧化物半导体（CMOS）和互补场效应晶体管（CFET

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