EUV光刻，新里程碑

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原标题：EUV光刻，新里程碑
关键字：光刻,图案,报告,扫描仪,间距
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来源：半导体行业观察
在进入High NA EUV光刻时代的前夕，imec计算技术与系统/计算系统扩展高级副总裁Steven Scheer谈到了ASML-imec联合高NA EUV光刻实验室对半导体行业的意义。
Steven Scheer表示：“位于荷兰费尔德霍芬的 ASML-imec High NA EUV 联合光刻实验室的开业，标志着High NA EUV 大规模生产应用准备工作取得里程碑式进展。领先的内存和逻辑芯片制造商现在可以使用第一台原型High NA (0.55NA) EUV 扫描仪 (TWINSCAN EXE:5000) 和周边基础设施，包括涂层和开发轨道、计量工具以及晶圆和掩模处理系统。Imec 和 ASML 将支持IDM 和代工厂降低图案化技术的风险，并在扫描仪在其生产工厂投入使用之前开发私有的High NA EUV 用例。
ASML和imec还将向更广泛的供应商生态系统提供访问权限。开发设施将使他们能够走在High NA EUV 专用材料和设备工程的最前沿。第三组用户是imec 和我们在高级图案化项目中的几家合作伙伴，推动图案化生态系统进入下一代High NA EU

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