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原标题:把两块芯片压成一块:EUV以来半导体制造的最大创新
关键字:报告,芯片,研究人员,间距,技术
文章来源:机器之心
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机器之心报道
编辑:泽南、小舟在一平方毫米的硅片上建立数百万个连接。从纳米到埃米,芯片制造商正在竭尽全力缩小电路的尺寸。但对于人们日益增长的算力需求,一项涉及更大尺寸(数百或数千纳米)的技术在未来五年内可能同样重要。
这项技术称为直接混合键合(Hybrid Bonding),可在同一封装中将两个或多个芯片堆叠在一起,构建所谓的 3D 芯片。尽管由于摩尔定律逐渐崩溃,晶体管缩小的速度正在变慢,但芯片制造商仍然可以通过其他方式增加处理器和内存中的晶体管数量。
今年 5 月,在丹佛举行的 IEEE 电子元件和技术会议(ECTC)上,来自世界各地的研究小组公布了该技术的各种来之不易的改进,其中一些结果显示,3D 堆叠芯片之间的连接密度可能达到创纪录的水平:每平方毫米硅片上大约有 700 万个连接。
英特尔的 Yi Shi 在 ECTC 大会上报告说,由于半导体技术的新进展,所有这些连接都是必需的。摩尔定律现在受一个称为系统技术协同优化(STCO)的概念支配,即芯片的功能(例如缓存、输入 / 输出和逻辑)分别使用最先进工艺制程制造。然后可以使用混合键合和其他先进封装技术来组装这些子系统,以便让它
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